Исследование методом молекулярной динамики процессов образования дислокаций и областей разориентации в кристалле под воздействием лазерного импульса - Маркидонов, Артем Владимирович; Старостенков, Михаил Дмитриевич; Гостевская, Анастасия Николаевна; Лубяной, Дмитрий Анатольевич; Захаров, Павел Васильевич (Materials. Technologies. Design, 2025)
Известно, что воздействие лазерных импульсов на поверхность металла сопровождается такими процессами как локальный нагрев, плавление и даже испарение металла, что приводит к различным структурным изменениям поверхности. В частности под облученной поверхностью может наблюдаться протяженный дислокационный слой. Очевидно, что в связи с широким применением лазера в качестве инструмента обработки материалов исследование процессов, сопутствующих его воздействию, является актуальной задачей, которую, впрочем, не всегда удается решить исключительно экспериментальным путем и в данном случае требуется применение дополнительных методов исследования. В представленной работе методом молекулярной динамики изучаются структурные изменения, происходящие в монокристалле железа, подвергнутому относительной деформации различной величины, при моделируемом воздействии лазерного импульса. При построении модели предполагается, что подобное воздействие сопровождается лишь разогревом облученного материала до достаточно высоких температур. В ходе моделирования в расчетной ячейке возникала межфазная граница, которая является источником механических напряжений. Ее особенностью является наличие кривизны поверхности, приводящей к неравномерности распределения напряжений. Показано, что в результате последующей структурной релаксации в кристалле образуются дислокации, являющиеся откликом на внешнее воздействие, а по мере роста величины деформации формируются области разориентации. При этом для разориентации в данном случае не требуются большие деформации, а необходимо наличие жидкой фазы, а также избыточный свободный объем. Высказывается предположение, что возникновению дислокаций и областей разориентации также способствуют касательные напряжения, создаваемые межфазной границей.