Разработка и исследование силового низковольтного AlGaN/GaN/SiC диода Шоттки - Полынцев, Егор Сергеевич; Кодорова, Ирина Юрьевна; Аксёнов, Андрей Александрович; Воробьёв, Максим Сергеевич (Materials. Technologies. Design, 2026)
В работе представлены результаты разработки и экспериментального исследования силового планарного низковольтного диода Шоттки на основе гетероструктуры AlGaN/GaN, сформированной на подложке из SiC. Описана базовая конструкция силового GaN диода Шоттки с системой полевых электродов, реализованная в кристалле многопальцевого силового GaN диода Шоттки. Представлена методика импульсных измерений вольтамперной характеристики диода, позволяющая исключить влияние саморазогрева. Изготовлено и измерено 25 экспериментальных образцов кристаллов силовых GaN диодов Шоттки. Максимальное рабочее напряжение составило более 250 В, а максимальный ток достигал 42 А. Теоретически рассчитана величина теплового сопротивления между активной областью силового GaN диода и подложкой. Показано преимущество использования подложек SiC с точки зрения тепловых характеристик. Проведено сравнение достигнутых электрических характеристик экспериментального образца силового GaN диода Шоттки с серийно выпускаемым кремниевым аналогом. Представлены результаты интеграции экспериментального образца силового GaN диода Шоттки в силовую микросборку, предназначенную для использования во вторичной части однотактных DC-DC преобразователей с высокой плотностью мощности.